На симпозиуме VLSI в Киото (Япония) специалисты AMD представили технологии создания новых транзисторов, обладающих высоким быстродействием. Ускорение работы транзисторов и их дальнейшая миниатюризация — основное условие получения более мощных процессоров, и представители AMD предложили для этого несколько путей. Первый из предложенных способов основывается на технологии FDSOI (полностью обедненный кремний на изоляторе). Транзисторы, изготовленные по такой технологии, обгоняют в быстродействии транзисторы PMOS (металлоксидный полупроводник с P-каналом) на 30%. Еще одна технология, разработанная исследователями AMD, заключается в применении напряженного кремния (Strained Silicon) в сочетании с металлизированными затворами. Металлизированные затворы — новейшая разработка компании AMD, использующая для создания затворов силицид никеля, в отличие от обычных транзисторов, в которых для данной цели служит поликристаллический кремний. Быстродействие транзисторов, использующих метализированные затворы, на 25% превышает скорость работы обычных транзисторов. Использование металлизированных затворов позволит усовершенствовать существующий 65-нанометровый процесс изготовления транзисторов и обеспечит их дальнейшую миниатюризацию.

Современные транзисторы SOI работают на тонком слое кремния, под которым находится изолятор, не допускающий утечки тока в подложку. Быстродействие такого транзистора зависит от толщины кремния — чем подложка тоньше, тем выше скорость тока, и соответственно, ускоряется работа транзистора. Полностью обедненный кремний позволяет достичь наивысшего на данный момент быстродействия. Заряд может течь быстрее не только за счет уменьшенной толщины кремния, но и за счет того, что его кристаллическая решетка разрежена — атомы более удалены друг от друга. Исследователи полагают, что сочетание технологий полностью обедненного кремния и металлизированных затворов обеспечит дополнительные преимущества при разработке микросхем на основе новых полупроводниковых технологий.

КомпьюЛента